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关于召开《硅材料原生缺陷图谱》等三项标准讨论会的通知 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
作者:佚名 文章来源:中国有色金属标准质量信息网 点击数1036 更新时间:2011/5/12 14:00:55 文章录入:user2 责任编辑:hguang8379 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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各会员单位及有关单位: 兹定于2011年6月14日~17日在陕西省西安市召开半导体材料标准讨论会。会议将对三项半导体材料标准进行讨论,请你单位派代表按时参加会议。 一、会议内容: 会议将对《硅材料原生缺陷图谱》一项国家标准项目进行讨论,将对《碲化镉》和《用椭圆对称法测量硅衬底上绝缘体厚度及折射指数的试验方法》两项行业标准项目进行讨论,具体见附件。 请项目负责起草单位和参加起草单位务必参加会议,同时也请各用户单位及其他单位参加会议、提出意见。 二、会议报到: 1、报到时间:2011年6月14日。 三、费用 会议收取会务费1000元/人。住宿统一安排,费用自理。 四、会议资料 标准负责起草单位请于6月2日前将标准稿的电子文本发送至标委会秘书处电子信箱(cnsm@263.net),由秘书处挂网征求意见。相关单位可在有色金属标准所网站(www.cnsmq.com)下载标准稿。 五、会务 本次会议协办单位:陕西天宏硅材料有限责任公司。 六、回执 请各位参会代表务必将回执单填妥,并于2011年6月8日前传真至标委会秘书处,以便会务安排。 附件:项目名称及负责起草单位
参 会 回 执
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