各会员单位及各位委员：

    根据《关于申报“全国半导体材料技术标准优秀奖”的通知》（半材标委[2011]11号）文的要求，各会员单位申报标准优秀奖项目共4项。2011年10月18日，在北京召开专家评审会，共评选出一等奖1项，二等奖1，三等奖1项（具体项目名称见附件1）。

    根据《关于申报2010～2011年半导体材料标准化先进工作者的通知》（半材标委[2011]14号）的要求，截止至10月14日,各会员单位完成了2011年半导体材料标准化先进工作者的申报工作。按照条件要求，经全国半导体材料分标准化技术委员会秘书处认真慎重的研究，初选出附件2中所列5名半导体材料标准化先进工作者。

    特此网上公示，并征求全体委员和会员单位的意见，意见反馈截止日为十一月十日。

    附件1： 2011年度半导体材料技术标准优秀奖项目评选结果
    附件2： 2011年半导体材料标准化先进工作者初选名单

二O一一年十一月二日

附件1： 2011年度半导体材料技术标准优秀奖项目评选结果

序号 标准项目 起草单位 备注 1.     锗单位产品能源消耗限额 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、南京中锗科技股份有限公司、北京国晶辉红外光学科技有限公司、驰宏锌锗股份有限公司、中金岭南韶关冶炼厂、内蒙通力锗业有限公司 一等奖 2.     硅外延用三氯氢硅 南京中锗科技股份有限公司、南京国盛电子有限公司 二等奖 3.     高纯锑化学分析方法 镁、锌、镍、铜、银、镉、铁、硫、砷、金、锰、铅、铋、硅、硒含量的测定 高质量分辨率辉光放电质谱法 东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司、北京有色金属研究总院、兰州金川新材料科技股份有限公司 三等奖

附件2：2011年半导体材料标准化先进工作者初选名单

序号 姓名 单位 1、  孙燕 有研半导体材料股份有限公司 2、  徐自亮 瑟米莱伯贸易（上海）有限公司 3、  潘卫军 广东先导稀材股份有限公司 4、  张莉萍 南京中锗科技股份有限公司 5、  普世坤 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司