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全国半导体设备和材料标委会材料分委会2011年会召开
作者:佚名  文章来源:中国有色金属标准质量信息网  点击数488  更新时间:2011/11/29 8:32:13  文章录入:user2  责任编辑:hguang8379

   

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(TC203/SC2)2011年年会于11月13日~16日在四川省成都市新华国际酒店召开,共有32家单位的46名代表参加了会议。会议由标委会副主任委员朱玉华主持,秘书处贺东江做了2011年度工作总结报告,会上同时表彰了“2011年半导体材料技术标准优秀奖”获奖项目及2011年度半导体材料标准化先进工作者,中国电子技术标准化研究所裴会川女士会上宣读了第三届全国半导体材料分标委会委员和会员单位名单。同时,朱玉华副主任委员对半导体材料标准化工作提出了新的要求,要求广大标准制修订单位严把质量关,对新上标准项目名称予以关注,并严格按照新版的国标要求进行标准编制,广泛征求各相关单位意见。会后,各会员单位论证了2012年拟申报标准项目。随后的会议对《硅材料原生缺陷图谱》等三项标准项目进行了审定,并对16项新下计划标准项目进行了任务落实。会议取得圆满成功。

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