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关闭窗口 新浪财经讯 03月31日消息，中芯国际(1.04,-0.01,-0.95%,经济通实时行情)公布，集团其低漏电(LL)45纳米(nm)技术在中芯国际上海的300毫米工厂内已成功通过工艺认证及SRAM产品认证(I/O 1.8V)，其32兆、位元单元为0.299 um2的 SRAM良率高于85%。
中芯指，已着手研发45纳米低漏电单元库和IP，指认证提升其逻辑技术在内地的领先地位。
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| 中芯45LL技术成功完成工艺认证 | |
| 作者：佚名 文章来源：新浪财经 点击数575 更新时间：2010/3/31 16:37:49 文章录入：user1 责任编辑：hguang8379 | |
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新浪财经讯 03月31日消息，中芯国际(1.04,-0.01,-0.95%,经济通实时行情)公布，集团其低漏电(LL)45纳米(nm)技术在中芯国际上海的300毫米工厂内已成功通过工艺认证及SRAM产品认证(I/O 1.8V)，其32兆、位元单元为0.299 um2的 SRAM良率高于85%。 中芯指，已着手研发45纳米低漏电单元库和IP，指认证提升其逻辑技术在内地的领先地位。
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