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关于召开《高纯砷》等国家标准、行业标准审定和讨论会的通知
作者:佚名  文章来源:中国有色金属标准质量信息网  点击数1325  更新时间:2010/6/28 15:15:06  文章录入:user10  责任编辑:hguang8379

 

各会员单位及有关单位:

    兹定于2010年7月20日~23日在宁波市好丽登国际商务酒店(宁波北仑长江路1号)召开半导体材料标准工作会。会上将对13项半导体材料标准进行审定和讨论。请相关单位派代表按时参加会议(标准起草单位需携带至少30份有关标准资料)。

    一、会议内容

    会议将对《关于硅片平坦表面的表面粗糙度的测量指南》1项国家标准和《高纯砷》等5项行业标准进行审定,将对《电子级三氯氢硅》等7项国家标准和行业标准进行讨论。具体项目名称及负责起草单位见附件。

    请以上项目的负责起草单位和参加起草单位务必参加会议,同时也请各用户单位及其他单位参加会议、提出意见。

    二、会议报到

    1、报到时间:2010年7月20日。

    2、报到地点:宁波北仑长江路1号  好丽登国际商务酒店。

    三、会议资料

    各标准负责起草单位请于7月9日前将标准稿的电子文本发送至标委会秘书处电子信箱(cnsm@263.net),由秘书处挂网征求意见。相关单位可在有色金属标准所网站(www.cnsmq.com)下载标准稿。

    附件:审定和讨论项目名称及主要起草单位

序号

名称

/修订

主起草单位

备注

第一组

1.          

关于硅片平坦表面的表面粗糙度的测量指南

制定

有研半导体材料股份有限公司

审定

2.          

电子级三氯氢硅

制定

南京锗厂有限责任公司

讨论

3.          

电子级三氯氢硅化学分析方法 电感耦合等离子体质谱仪测定钴、铬、铜、铁、锰、镍、钒、硼、铝、磷、钼、砷和锑量

制定

南京锗厂有限责任公司

讨论

4.          

再生硅料分类和技术条件

制定

西安隆基硅材料股份有限公司

讨论

5.          

硅片平整度、厚度及厚度变化测试 自动非接触扫描法

制定

上海合晶硅材料有限公司

讨论

第二组

6.          

高纯砷化学分析方法  孔雀绿分光光度法测定锑量

修订YS/T 34.1-1992

峨眉半导体材料厂

审定

7.          

高纯砷化学分析方法  化学光谱法测钴、锌、银、铜、钙、铝、镍、铬、铅、镁、铁量

修订YS/T 34.2-1992

峨眉半导体材料厂

审定

8.          

高纯砷化学分析方法  极谱法测定硒量

修订YS/T 34.3-1992

峨眉半导体材料厂

审定

9.          

高纯砷化学分析方法  极谱法测定硫量

修订YS/T 34.4-1992

峨眉半导体材料厂

审定

10.      

高纯砷

修订YS/T 43-1992

峨眉半导体材料厂

审定

11.      

高纯铟

修订YS/T 264-1994

南京锗厂有限责任公司

讨论

12.      

单晶锗单位产品能源消耗限额

制定

南京锗厂有限责任公司

讨论

13.      

锗单位产品能源消耗限额

制定

云南临沧鑫圆锗业股份有限公司

讨论

二O一O年六月十八日

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